Botes quantiques dIn(Ga)As pour lmission autour de 1,3 m sur GaAs: Nanostructures pour l'optolectronique (Omn.Pres.Franc.) (,Used

Botes quantiques dIn(Ga)As pour lmission autour de 1,3 m sur GaAs: Nanostructures pour l'optolectronique (Omn.Pres.Franc.) (,Used

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Les botes quantiques de semiconducteurs IIIV font lobjet de recherches actives depuis leur dcouverte en 1985 du fait de leur proprits physiques spcifiques qui ouvrent des champs dapplication potentiels dans le domaine des composants et des nanocomposants pour la microlectronique et loptolectronique. Cet ouvrage, reproduction dune thse de doctorat en sciences de la matire, traite de la croissance et des proprits structurales de botes quantiques dIn(Ga)As/GaAs. Il aborde les aspects lis lpitaxie en phase vapeur aux organomtalliques de ces nanostructures, ainsi que ltude de linfluence des conditions de croissance sur leur morphologie, leur taille et leur composition. Il montre ensuite comment les proprits optiques des nanostructures (photoluminescence) peuvent tre optimises et prsentent une tude dtaille de la fabrication de lasers les utilisant comme couche active. Il sadresse des chercheurs en sciences physiques et technologies de linformation, des doctorants et des tudiants en physique de la matire.

⚠️ WARNING (California Proposition 65):

This product may contain chemicals known to the State of California to cause cancer, birth defects, or other reproductive harm.

For more information, please visit www.P65Warnings.ca.gov.

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