Pelculas nanocristalinas de GaAs crecidas por rfsputtering: Desviacin hacia el azul de la energa de banda prohibida del m,Used

Pelculas nanocristalinas de GaAs crecidas por rfsputtering: Desviacin hacia el azul de la energa de banda prohibida del m,Used

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El desarrollo tecnolgico actual permite sintonizar el espectro de absorcin y luminiscencia de materiales semiconductores sobre un rango muy ancho de energa, de alrededor de 1 a 2 eV, por variacin del tamao del microcristal. Esto abre la oportunidad de fabricar lseres sintonizables y diodos emisores de luz basados en nanocristales. El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los semiconductores ms usados en la optoelectrnica y por lo tanto el estudio de los efectos del confinamiento cuntico sobre este material es de gran inters. En este libro se describe el crecimiento de pelculas semiconductoras nanocristalinas de GaAs utilizando un sistema de deposicin por erosin catdica (rfsputtering) y se da una explicacin al comportamiento del borde de absorcin ptico del material en funcin del tamao de grano de los nanocristales. Esta exploracin presenta un gran nmero de posibles variantes experimentales que pueden ser consideradas para continuar desarrollando esta lnea de investigacin.

⚠️ WARNING (California Proposition 65):

This product may contain chemicals known to the State of California to cause cancer, birth defects, or other reproductive harm.

For more information, please visit www.P65Warnings.ca.gov.

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